DA   EN   SV
For at se vores fulde sortiment, priser og opnå den fulde adgang til vores webshop, skal du logge ind.
Log ind på din konto her eller registrer dig som kunde her.

Samsung 990 EVO Plus SSD MZ-V9S2T0 4TB M.2 PCI Express 4.0 x4 (NVMe) PCI Express 5.0 x2 (NVMe)

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - krypteret - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 EVO Plus er et kraftfuldt internt solid state-drev, der er designet til at forbedre lagringsydelsen med en kapacitet på 2 TB. Med Samsung V-NAND TLC-teknologi sikrer dette drev højhastighedsdataoverførsel med en intern datahastighed på 7250 MBps og en skrivehastighed på 6300 MBps, hvilket muliggør problemfri drift til krævende applikationer og håndtering af store filer. Med understøttelse af PCI Express 4.0- og 5.0-grænseflader opfylder den forskellige systemkrav, samtidig med at den er hurtig og pålidelig.

  • Varenummer 1002521235

    Model MZ-V9S4T0BW

    Producent
    Gå til producentens hjemmeside

    EAN 8806095575667

    Vægt 0.07 kg

  • Informationer/specifikationer på siden er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.
Produktbeskrivelse Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type Solid state-drev - intern
Kapacitet 4 TB
Hardware kryptering Ja
Krypterings algoritme 256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model M.2 2280
Grænseflade PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaber TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensioner (B x D x H) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vægt 9 g
Producentgaranti 5 års garanti
Generelt
Bredde 22.15 mm
Dybde 80.15 mm
Egenskaber TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Enhedstype Solid state-drev - intern
Grænseflade PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Hardware kryptering Ja
Højde 2.38 mm
Kapacitet 4 TB
Krypterings algoritme 256-bit AES
Model M.2 2280
NAND Flashhukommelses-type Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Vægt 9 g
Præstation
Intern datahastighed 7250 MBps (læs) / 6300 MBps (skriv)
Maksimal 4 KB tilfældig læsning 1050000 IOPS
Maximum 4KB Random Write 1400000 IOPS
Driftssikkerhed
MTBF (forventet tid mellem fejl) 1.500.000 timer
Ekspansion og forbindelse
Kompatibel bås M.2 2280
Effekt
Strømforbrug 5.5 Watt (læs) | 4.8 Watt (skriv) | 60 mW (standby) | 5 mW (sov)
Programmer & Systemkrav
Med software Samsung Magician Software
Diverse
Pakningsmateriale Nikkelbelægning
Mål & vægt (forsendelse)
Bredde ved forsendelse 9.9 cm
Dybde ved forsendelse 2.29 cm
Højde ved forsendelse 14.2 cm
Producentgaranti
Service & Support Begrænset garanti - 5 år / 2400 TBW
Miljømæssige parametre
Fugtighedsgrad ved brug 5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Maks. driftstemperatur 70 °C
Maks. Opbevaringstemperatur 85 °C
Min. driftstemperatur 0 °C
Min. lagertemperatur -40 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) 1500 g @ 0,5 ms
Vibration tolerance (non-operativ) 20 g @ 20-2000 Hz

Effektiv dataoverførsel

Med interne datahastigheder på op til 7250 MBps kan data overføres hurtigt, hvilket giver hurtigere opstartstider og hurtigere indlæsning af programmer.

Høj holdbarhed

Med en stødmodstand på op til 1500 g og en vibrationstolerance er dette drev robust nok til at modstå fysisk stress og sikre pålidelig drift i forskellige miljøer.

Avanceret styring af ydeevne

Understøtter TRIM, Auto Garbage Collection og Device Sleep for at optimere ydeevnen og forlænge drevets levetid, hvilket gør det velegnet til både daglig brug og krævende applikationer.

Forbedrede sikkerhedsfunktioner

Drevet er udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 og giver robuste sikkerhedsforanstaltninger for at beskytte følsomme data mod uautoriseret adgang.


RMA