|
Produktbeskrivelse
|
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
|
|
Type
|
Solid state-drev - intern
|
|
Kapacitet
|
4 TB
|
|
Integreret kølelegeme
|
Ja
|
|
Hardware kryptering
|
Ja
|
|
Krypterings algoritme
|
256-bit AES
|
|
Model
|
M.2 2280
|
|
Grænseflade
|
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
|
|
Egenskaber
|
TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
|
|
Dimensioner (B x D x H)
|
25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
|
|
Vægt
|
28 g
|
|
Producentgaranti
|
5 års garanti
|
Vi optimerer løbende systemet og retter de småting, der måtte opstå. Tak for jeres forståelse
For at se vores fulde sortiment, priser og opnå den fulde adgang til vores webshop, skal du logge ind.
Log ind på din konto her eller registrer dig som kunde her.
Samsung 990 PRO SSD MZ-V9P4T0GW 4TB M.2 PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - krypteret - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0 - integreret kølelegeme
Maks 20 stk. pr. kunde
Samsung 990 PRO solid state-drevet kombinerer lagring med høj kapacitet, hurtige hastigheder og avancerede sikkerhedsforanstaltninger for at opfylde behovene i krævende datamiljøer. Med en kapacitet på 4 TB og en 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache giver det rigelig plads og hurtig adgang til dine data. Drevets PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-interface sikrer hurtige dataoverførselshastigheder, hvilket gør det ideelt til intensive applikationer og multitasking.
Varenummer:
1001625896
Model:
MZ-V9P4T0GW
EAN:
8806095255811
Producent:
Vægt:
0.07 kg
Specifikationer
Udv. specifikationer
|
Generelt
|
|
|---|---|
|
Bredde
|
25 mm
|
|
Dybde
|
80.15 mm
|
|
Egenskaber
|
TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
|
|
Enhedstype
|
Solid state-drev - intern
|
|
Grænseflade
|
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
|
|
Hardware kryptering
|
Ja
|
|
Højde
|
8.88 mm
|
|
Integreret kølelegeme
|
Ja
|
|
Kapacitet
|
4 TB
|
|
Krypterings algoritme
|
256-bit AES
|
|
Model
|
M.2 2280
|
|
Vægt
|
28 g
|
|
Præstation
|
|
|
Intern datahastighed
|
7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
|
|
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
|
1600000 IOPS
|
|
Maximum 4KB Random Write
|
1550000 IOPS
|
|
Driftssikkerhed
|
|
|
MTBF (forventet tid mellem fejl)
|
1,500,000 timer
|
|
Ekspansion og forbindelse
|
|
|
Interface
|
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
|
|
Kompatibel bås
|
M.2 2280
|
|
Effekt
|
|
|
Strømforbrug
|
6.5 watt (gennemsnitlig) | 55 mW (ledig)
|
|
Programmer & Systemkrav
|
|
|
Med software
|
Samsung Magician Software
|
|
Diverse
|
|
|
Overensstemmelsesstandarder
|
IEEE 1667
|
|
Producentgaranti
|
|
|
Service & Support
|
Begrænset garanti - 5 år / 2400 TBW
|
|
Miljømæssige parametre
|
|
|
Maks. driftstemperatur
|
70 °C
|
|
Min. driftstemperatur
|
0 °C
|
|
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)
|
1500 g
|
Features
Forbedret holdbarhed
Med en MTBF på 1.500.000 timer og en robust stødaccelerationstolerance på 1.500 g under ikke-operative forhold tilbyder dette solid state-drev enestående holdbarhed og pålidelighed til langvarig brug.
Højhastighedsydelse
Med en imponerende intern datahastighed på op til 7450 MBps for læsning og 6900 MBps for skrivning, sammen med maksimale 4KB tilfældige læsninger på 1600000 IOPS og skrivninger på 1550000 IOPS, sikrer Samsung 990 PRO hurtig dataadgang og overførselshastigheder.
Avanceret sikkerhed
Udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 giver dette drev avancerede sikkerhedsfunktioner til at beskytte dine data mod uautoriseret adgang.
Effektiv strømstyring
Med et lavt gennemsnitligt strømforbrug på 6,5 W og en tomgangstilstand, der kun kræver 55 mW, er Samsung 990 PRO designet til effektivt energiforbrug uden at gå på kompromis med ydeevnen.
Innovativ teknologi
Med Samsung V-NAND TLC-teknologi, Garbage Collection-teknologi og Device Sleep-understøttelse tilbyder denne SSD forbedret effektivitet, pålidelighed og 4 TB lagerplads med høj kapacitet og 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache for optimal ydeevne.