Log in to your account here or sign up as a customer here.
Samsung DDR5 SDRAM 32GB 2800MHz On-die ECC SO DIMM 262-PIN
Samsung - DDR5 - modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ikke bufferet - on-die ECC
Samsung M425R4GA3BB0-CWM er et hukommelsesmodul, der er designet til at forbedre din computeroplevelse. Med en lagerkapacitet på 32 GB og en hukommelseshastighed på 2800 MHz er dette DRAM-modul ideelt til krævende applikationer og multitasking-scenarier. DDR5 SDRAM-teknologien sikrer effektiv databehandling, mens on-die ECC-dataintegritetskontrollen giver pålidelighed og stabilitet til kritiske arbejdsbelastninger. Dette SO-DIMM-hukommelsesmodul har en dual rank-organisation og fungerer ved en forsyningsspænding på 1,1 V, hvilket gør det energieffektivt, samtidig med at ydeevnen opretholdes. Dets ubufrede design gør det nemt at integrere i kompatible systemer, så brugerne kan opgradere deres enheder. Uanset om det er til spil, indholdsskabelse eller generel brug, leverer Samsung M425R4GA3BB0-CWM-hukommelsesmodulet hastighed og kapacitet til at opfylde forskellige behov effektivt.
-
Product no 1001837135
Model M425R4GA3BB0-CWM
Brand
Go to brand's websiteEAN 5055288487079
Weight 0.13 kg
-
Product information and specifications are guiding only. Without notice, these can be subject to change by the manufacturer. This applies for product images as well.
| Produktbeskrivelse | Samsung - DDR5 - modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - ikke bufferet |
| Produkttype | Hukommelsesmodul |
| Kapacitet | 32 GB |
| Hukommelsestype | DDR5 SDRAM - SO DIMM 262-PIN |
| Opgraderingstype | Generisk |
| Dataintegritetskontrol | On-die ECC |
| Hastighed | 2800 MHz (PC5-44800) |
| Egenskaber | Dual rank, ikke bufferet |
| Spænding | 1.1 V |
Pålidelig ydeevne
Dette hukommelsesmodul har on-die ECC, som hjælper med at opretholde dataintegriteten ved at korrigere fejl under databehandlingen, hvilket sikrer stabilitet og pålidelighed i kritiske applikationer.
Hurtig databehandling
Med en hukommelseshastighed på 2800 MHz giver Samsung M425R4GA3BB0-CWM hurtig adgang til data, hvilket forbedrer systemets samlede reaktionsevne og ydeevne i krævende miljøer.
Energieffektivt design
Med en forsyningsspænding på 1,1 V bruger dette hukommelsesmodul mindre strøm, samtidig med at det leverer ydeevne, hvilket gør det til et ideelt valg for energibevidste brugere.
Nem opgradering
SO-DIMM-formfaktoren giver mulighed for enkel installation og kompatibilitet med en række forskellige enheder, så brugerne kan opgradere deres hukommelse uden komplikationer.
Organisering med to rækker
Dual rank-konfigurationen af dette hukommelsesmodul optimerer datastrømmen og forbedrer den samlede ydeevne, hvilket gør det velegnet til multitasking og krævende applikationer.