Log ind på din konto her eller registrer dig som kunde her.
Samsung DDR5 SDRAM 32GB 2800MHz On-die ECC SO DIMM 262-PIN
Samsung - DDR5 - modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ikke bufferet - on-die ECC
Samsung M425R4GA3BB0-CWM er et hukommelsesmodul, der er designet til at forbedre din computeroplevelse. Med en lagerkapacitet på 32 GB og en hukommelseshastighed på 2800 MHz er dette DRAM-modul ideelt til krævende applikationer og multitasking-scenarier. DDR5 SDRAM-teknologien sikrer effektiv databehandling, mens on-die ECC-dataintegritetskontrollen giver pålidelighed og stabilitet til kritiske arbejdsbelastninger. Dette SO-DIMM-hukommelsesmodul har en dual rank-organisation og fungerer ved en forsyningsspænding på 1,1 V, hvilket gør det energieffektivt, samtidig med at ydeevnen opretholdes. Dets ubufrede design gør det nemt at integrere i kompatible systemer, så brugerne kan opgradere deres enheder. Uanset om det er til spil, indholdsskabelse eller generel brug, leverer Samsung M425R4GA3BB0-CWM-hukommelsesmodulet hastighed og kapacitet til at opfylde forskellige behov effektivt.
-
Varenummer 1001837135
Model M425R4GA3BB0-CWM
Producent
Gå til producentens hjemmesideEAN 5055288487079
Vægt 0.13 kg
-
Informationer/specifikationer på siden er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.
| Produktbeskrivelse | Samsung - DDR5 - modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - ikke bufferet |
| Produkttype | Hukommelsesmodul |
| Kapacitet | 32 GB |
| Hukommelsestype | DDR5 SDRAM - SO DIMM 262-PIN |
| Opgraderingstype | Generisk |
| Dataintegritetskontrol | On-die ECC |
| Hastighed | 2800 MHz (PC5-44800) |
| Egenskaber | Dual rank, ikke bufferet |
| Spænding | 1.1 V |
| Generelt | |
|---|---|
| Kapacitet | 32 GB |
| Opgraderingstype | Generisk |
| Hukommelse | |
| Dataintegritetskontrol | On-die ECC |
| Egenskaber | Dual rank, ikke bufferet |
| Hastighed | 2800 MHz (PC5-44800) |
| Model | SO DIMM 262-PIN |
| Organisering af chips | 2048 x 8 |
| Spænding | 1.1 V |
| Teknologi | DDR5 SDRAM |
| Type | DRAM hukommelsesmodul |
Pålidelig ydeevne
Dette hukommelsesmodul har on-die ECC, som hjælper med at opretholde dataintegriteten ved at korrigere fejl under databehandlingen, hvilket sikrer stabilitet og pålidelighed i kritiske applikationer.
Hurtig databehandling
Med en hukommelseshastighed på 2800 MHz giver Samsung M425R4GA3BB0-CWM hurtig adgang til data, hvilket forbedrer systemets samlede reaktionsevne og ydeevne i krævende miljøer.
Energieffektivt design
Med en forsyningsspænding på 1,1 V bruger dette hukommelsesmodul mindre strøm, samtidig med at det leverer ydeevne, hvilket gør det til et ideelt valg for energibevidste brugere.
Nem opgradering
SO-DIMM-formfaktoren giver mulighed for enkel installation og kompatibilitet med en række forskellige enheder, så brugerne kan opgradere deres hukommelse uden komplikationer.
Organisering med to rækker
Dual rank-konfigurationen af dette hukommelsesmodul optimerer datastrømmen og forbedrer den samlede ydeevne, hvilket gør det velegnet til multitasking og krævende applikationer.