We are continuously resolving any minor issues that may arise. Thank you for your patience.

To gain full access to our webshop, find our entire product range and see our prices, you need to be logged in.
Log in to your account here or sign up as a customer here.

Samsung DDR5 SDRAM 32GB 2800MHz On-die ECC SO DIMM 262-PIN

Samsung - DDR5 - modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ikke bufferet - on-die ECC

Samsung M425R4GA3BB0-CWM er et hukommelsesmodul, der er designet til at forbedre din computeroplevelse. Med en lagerkapacitet på 32 GB og en hukommelseshastighed på 2800 MHz er dette DRAM-modul ideelt til krævende applikationer og multitasking-scenarier. DDR5 SDRAM-teknologien sikrer effektiv databehandling, mens on-die ECC-dataintegritetskontrollen giver pålidelighed og stabilitet til kritiske arbejdsbelastninger. Dette SO-DIMM-hukommelsesmodul har en dual rank-organisation og fungerer ved en forsyningsspænding på 1,1 V, hvilket gør det energieffektivt, samtidig med at ydeevnen opretholdes. Dets ubufrede design gør det nemt at integrere i kompatible systemer, så brugerne kan opgradere deres enheder. Uanset om det er til spil, indholdsskabelse eller generel brug, leverer Samsung M425R4GA3BB0-CWM-hukommelsesmodulet hastighed og kapacitet til at opfylde forskellige behov effektivt.

Varenummer: 1001837135
Model: M425R4GA3BB0-CWM
EAN: 5055288487079
Brand:
Vægt: 0.13 kg

Specifications

Produktbeskrivelse
Samsung - DDR5 - modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - ikke bufferet
Produkttype
Hukommelsesmodul
Kapacitet
32 GB
Hukommelsestype
DDR5 SDRAM - SO DIMM 262-PIN
Opgraderingstype
Generisk
Dataintegritetskontrol
On-die ECC
Hastighed
2800 MHz (PC5-44800)
Egenskaber
Dual rank, ikke bufferet
Spænding
1.1 V

Features

Pålidelig ydeevne

Dette hukommelsesmodul har on-die ECC, som hjælper med at opretholde dataintegriteten ved at korrigere fejl under databehandlingen, hvilket sikrer stabilitet og pålidelighed i kritiske applikationer.

Hurtig databehandling

Med en hukommelseshastighed på 2800 MHz giver Samsung M425R4GA3BB0-CWM hurtig adgang til data, hvilket forbedrer systemets samlede reaktionsevne og ydeevne i krævende miljøer.

Energieffektivt design

Med en forsyningsspænding på 1,1 V bruger dette hukommelsesmodul mindre strøm, samtidig med at det leverer ydeevne, hvilket gør det til et ideelt valg for energibevidste brugere.

Nem opgradering

SO-DIMM-formfaktoren giver mulighed for enkel installation og kompatibilitet med en række forskellige enheder, så brugerne kan opgradere deres hukommelse uden komplikationer.

Organisering med to rækker

Dual rank-konfigurationen af dette hukommelsesmodul optimerer datastrømmen og forbedrer den samlede ydeevne, hvilket gør det velegnet til multitasking og krævende applikationer.

Media

Support

RMA